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透明导电氧化物薄膜

溅射靶材 2020-06-03 10:23

  一、TCO的定义

  透明导电氧化物薄膜主要包括In,Sb,Zn和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料,具有宽禁带、可见光谱区光透射率高和电阻率低等共同光电特性,广泛地应用于太阳能电池、平面显示、特殊功能窗口涂层及其他光电器件领域。透明导电薄膜以掺杂氧化铟(ITO)为代表,掺铝的ZnO薄膜(AZO)被认为是最有发展潜力的材料之一。同时,人们还开发了Zn2SnO4、In4Sn3O12、MgIn2O4、CdIn2O4等多元透明氧化物薄膜材料。

  二、TCO的特性

  TCO薄膜为晶粒尺寸数百纳米的多晶层,晶粒取向单一。目前研究较多的是ITO、FTO(SnO2:F)和AZO,这些氧化物均为重掺杂、高简半导体,半导化机理为化学计量比偏移和掺杂,其禁带宽度一般大于3eV,并随组分不同而变化。

  三、TCO的分类

  1、SnO2基薄膜:现在得到广泛应用的是掺杂的SnO2薄膜,掺杂效果最好的是Sb和F(掺Sb的SnO2薄膜简称ATO,掺F的SnO2薄膜简称FTO)。

  2、In2O3基薄膜:掺杂氧化锡的In2O3薄膜(ITO)仍然是目前研究和应用最广泛的透明导电膜。众多的文献资料称,氧化锡掺杂量在10%时,ITO薄膜具有最优的光电性能。除此以外,在In2O3中掺杂进其他材料,例如Zn、Mo等,也可获得其他的性能。

  3、ZnO基薄膜:掺杂Al的ZnO薄膜(AZO)是目前性能最好的氧化锌系薄膜。最近几年,ZnO:Ga薄膜也逐渐得到了重视,并获得了较低的电导率。

  四、我公司可为您提供的材料

  作为镀膜材料的专业供应厂商,我公司可以为您提供多种制作TCO薄膜需要的靶材。如ZnO、In2O3,SnO2、高纯钼靶材等,纯度在99.99%以上。除此之外,我们还可以为您提供掺杂靶材ITO和AZO,纯度在99.99%以上。对于制作其他薄膜的客户,我们可以接受您的定制,在公司技术条件允许的情况下,为您制作特殊的掺杂材料。

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